Flex® 产品家族
技术:反应离子刻蚀
解决方案: 晶体管, 连接导线, 成像, 先进存储器
介质蚀刻是在绝缘材料中对图形进行蚀刻,在半导体器件的导电部件之间形成阻挡层。对于先进器件来说,这些结构可能非常高而薄,并且涉及复杂而敏感的材料。目标特征截面的轻微偏差,即便是在原子层级,也可能对器件的电性能产生负面影响。
为了准确形成这些具有挑战性的结构,Lam 2300 Flex 产品家族为关键的介质蚀刻提供了差异化的技术和应用导向的能力。
行业挑战
先进技术引入的新材料、复杂的集成方案和缩小的尺寸,给介质蚀刻带来了多种挑战。这些新材料和集成方案需要蚀刻多层薄膜的能力,要求一个薄膜对另一个薄膜的超高选择性。芯片制造商对降低晶圆总成本的需求增加了对多层薄膜进行原位蚀刻能力的要求。尺寸缩小的挑战包括在不断增大的纵横比上形成最优的蚀刻截面,尤其是用于存储单元电容器结构和连接,同时在量产中提供可重复的尺寸控制。对于逻辑产品,导线尺度缩小要求蚀刻具备对低 k 值材料的高选择性,并且不会增加介质薄膜的 k 值和对器件性能产生不利影响。
LAM 的主要优点
- 独特的多频、小反应腔和范围约束的等离子带来卓越的均匀性、可重复性和可调性
- 原位多步骤蚀刻和连续性等离子体带来高生产力和低缺陷率
- 低风险,低成本产品升级,延长了产品寿命并将投资回报率最大化
产品供应
- Exelan® Flex®
- Exelan® Flex45™
- Flex® D Series
- Flex® E Series
- Flex® F Series
- Flex® G Series
主要应用
- 低 k 值和超低 k 值大马士革
- 自对准接触孔
- 电容单元
- 掩膜刻蚀
- 3D NAND 大深径比细孔、沟槽和接触孔
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