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Carving Features with Atomic Precision

Lam Research plasma etch – conductor etch

Kiyo® 产品家族

技术：反应离子蚀刻 (ALE)
解决方案：晶体管, 连接导线, 成像, 先进存储器

导电材质蚀刻帮助定义半导体器件中活性材料的成形。即便是这些微型结构中的微小变化也能造成电缺陷，从而影响器件性能。事实上，这些结构如此微小，以至于蚀刻工艺正在突破物理和化学基本法则的界限。

Lam Kiyo 产品家族的高性能提供了精准而稳定的导电结构的形成，并保持高生产力。

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Lam Research plasma etch – metal etch

Versys® 金属产品家族

技术：反应离子蚀刻
解决方案： 连接导线

金属蚀刻工艺在集成电路布线和器件连接上发挥重要作用。该工艺还可用于金属硬掩膜 (MHM)的蚀刻 ，以处理常规掩膜所无法成像的过小尺寸，因而使特征尺寸的持续缩小成为可能。

为了实施这些关键的蚀刻步骤，Lam Versys Metal 产品家族提供了灵活的设备平台以实现高生产力。

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Lam Research plasma etch – dielectric etch

Flex® 产品家族

技术：反应离子刻蚀
解决方案： 晶体管, 连接导线, 成像, 先进存储器

介质蚀刻是在绝缘材料中对图形进行蚀刻，在半导体器件的导电部件之间形成阻挡层。对于先进器件来说，这些结构可能非常高而薄，并且涉及复杂而敏感的材料。目标特征截面的轻微偏差，即便是在原子层级，也可能对器件的电性能产生负面影响。

为了准确形成这些具有挑战性的结构，Lam 2300 Flex 产品家族为关键的介质蚀刻提供了差异化的技术和应用导向的能力。

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Lam Research plasma etch – through-silicon via (TSV) etch

Syndion® 产品家族

技术：反应离子刻蚀
解决方案：封装

直通硅晶穿孔技术 (TSV) 为 3D 集成电路 (3D IC) 提供用于芯片间堆叠的导线连接，以实现更小、更快和更强大移动电子产品的生产。为形成这些高“纵列”（或穿孔），必须通过多个蚀刻工艺步骤的精准控制来打通薄膜隧道。

Lam 2300 Syndion 蚀刻产品系列提供灵活可控的多层工艺，为 TSV 应用带来具有成本效益的穿孔蚀刻。

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